ON NVMFS5C430NLAFT1G 이산 반도체 품목 Mosfet 엔 Ch 40V 38A/200A 5DFN
NVMFS5C430NLAFT1G 이산 반도체 품목
,Mosfet 엔 Ch 38A 200A
,Mosfet 엔 Ch 40V
NVMFS5C430NLAFT1G MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN에
분리된 반도체 제품은 전자 회로에서, 수정 또는 증폭 또는 스위칭과 같은 단일 함수를 수행하는 전자 부품을 포함합니다. 분리된 반도체 제품의 약간의 일반적인 예는 다이오드와 트랜지스터와 사이리스터를 포함합니다.
이산 반도체 제품 공통 기능은 다음을 포함합니다 :
- - 최대 전압과 전류 등급 : 이것은 성분이 손상되지 않고 다룰 수 있는 최대 전압과 경향을 언급합니다. 회로를 위한 요구조건과 일치하는 전압과 전류 등급과 성분을 선택하는 것이 중요합니다.
- - 순방향 전압 강하 : 이것은 그것이 도체인 경향일 때 성분을 가로질러 전압 강하를 언급합니다. 더 낮은 순방향 전압 강하는 적은 전력 산재와 더 나은 효율을 의미합니다.
- - 교환 속도 : 이것은 그것이 사이에 틀기 위한 성분과 OFF 상태라고 생각하는 시간을 언급합니다. 더 빨리 교환 속도는 회로의 성능을 개선할 수 있습니다.
- - 온도 범위 : 이것은 성분이 확실히 작동할 수 있는 온도범위를 언급합니다. 회로의 운영 상태와 일치하는 온도 범위와 성분을 선택하는 것이 중요합니다.
성능의 관점에서, 분리된 반도체 제품은 일반적으로 그들의 순방향 전압 강하와 교환 속도에 의해 측정됩니다. 로우어 순방향 전압 강하와 더 빠른 교환 속도, 성분의 더 좋은 성능.
특성 | 기술 |
|---|---|
로에스 상태 | 순응한 ROHS3 |
습도 감지 수준 (MSL) | 3 (168 시간) |
한계 상태 | 한계는 영향을 주지 않았습니다 |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.31.0001 |
공급망 시스템
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